硅通孔的形成方法

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专利类型
发明
申请号
CN201110109844.6
申请日
2011-04-28
公开(公告)号
CN102760691B
公开(公告)日
2012-10-31
发明(设计)人
洪中山
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
硅通孔的形成方法 [P]. 
蒋莉 .
中国专利 :CN103094187A ,2013-05-08
[2]
硅通孔的形成方法 [P]. 
蒋莉 .
中国专利 :CN103094189A ,2013-05-08
[3]
硅通孔的形成方法 [P]. 
戚德奎 ;
张海芳 ;
陈晓军 ;
陈政 ;
李新 .
中国专利 :CN104282619B ,2015-01-14
[4]
硅通孔封装结构的形成方法 [P]. 
李凤莲 ;
倪景华 .
中国专利 :CN103633013A ,2014-03-12
[5]
硅通孔形成方法 [P]. 
严利均 ;
倪图强 .
中国专利 :CN103646917A ,2014-03-19
[6]
通孔的形成方法 [P]. 
张城龙 ;
黄敬勇 ;
张海洋 .
中国专利 :CN104425361A ,2015-03-18
[7]
通孔的形成方法 [P]. 
韩秋华 ;
黄敬勇 .
中国专利 :CN104658964B ,2015-05-27
[8]
通孔形成方法 [P]. 
吴佳蒙 ;
史波 ;
肖婷 ;
敖利波 .
中国专利 :CN112701080A ,2021-04-23
[9]
通孔形成方法 [P]. 
郑春生 ;
胡亚威 ;
张文广 .
中国专利 :CN101593724B ,2009-12-02
[10]
通孔形成方法 [P]. 
孙武 ;
张海洋 ;
韩宝东 .
中国专利 :CN102222640B ,2011-10-19