薄膜晶体管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010155683.X
申请日
2010-03-26
公开(公告)号
CN101847662B
公开(公告)日
2010-09-29
发明(设计)人
宫入秀和
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L29786
IPC分类号
H01L2906 H01L2904 H01L2712 H01L2184 H01L21336 G02F11368
代理机构
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
李玲
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
薄膜晶体管 [P]. 
高桥绘里香 ;
加藤高之 ;
宫入秀和 ;
神保安弘 .
中国专利 :CN101667599B ,2010-03-10
[2]
薄膜晶体管基底 [P]. 
李一正 ;
朴永祐 ;
李旺宇 .
中国专利 :CN107293575B ,2017-10-24
[3]
薄膜晶体管 [P]. 
姜一俊 ;
曹煐美 .
中国专利 :CN104241391B ,2014-12-24
[4]
薄膜晶体管 [P]. 
宫入秀和 ;
笹川慎也 ;
仓田求 .
中国专利 :CN102136498A ,2011-07-27
[5]
薄膜晶体管 [P]. 
宫入秀和 ;
渡部刚吉 ;
岛津贵志 .
中国专利 :CN102349159B ,2012-02-08
[6]
薄膜晶体管 [P]. 
金正晥 ;
金起弘 ;
张龙在 ;
金正贤 .
中国专利 :CN102456744A ,2012-05-16
[7]
薄膜晶体管 [P]. 
张源 .
中国专利 :CN109935627A ,2019-06-25
[8]
薄膜晶体管 [P]. 
宫入秀和 ;
笹川慎也 ;
仓田求 ;
田所麻美 .
中国专利 :CN102117837A ,2011-07-06
[9]
薄膜晶体管 [P]. 
佐藤荣一 .
中国专利 :CN104054165A ,2014-09-17
[10]
薄膜晶体管 [P]. 
石龙强 ;
曾志远 ;
张合静 ;
胡宇彤 .
中国专利 :CN104465785B ,2015-03-25