用于制备硅碳负极材料的化学气相沉积系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420333149.7

申请日：

2014-06-20

公开(公告)号：

CN203890439U

公开(公告)日：

2014-10-22

发明(设计)人：

吴清国权学军朱玉巧徐中领

申请人：

申请人地址：

315301 浙江省宁波市慈溪市兴园路48号

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C1652

代理机构：

宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228

代理人：

代忠炯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-22	授权	授权
2016-08-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101673693524 IPC(主分类):C23C 16/455 专利号:ZL2014203331497 申请日:20140620 授权公告日:20141022 终止日期:20150620

共 50 条

[1]

一种化学气相沉积制备氮掺杂硅碳高性能负极材料工艺 [P].

郑辉东 ;

李永上 ;

李浩宏 ;

王莹淑 .

中国专利 :CN120261541A ,2025-07-04

[2]

硅碳负极材料的制备方法 [P].

吴清国 ;

权学军 ;

朱玉巧 ;

徐中领 .

中国专利 :CN104103821B ,2014-10-15

[3]

一种用于硅碳负极材料生产的气相沉积检测系统 [P].

康天宇 ;

牛晓鹏 ;

李洪伟 ;

王建勋 .

中国专利 :CN217954350U ,2022-12-02

[4]

多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法 [P].

栗广奉 ;

孔祥云 ;

郑安雄 ;

阮愉悦 .

中国专利 :CN117776183B ,2024-11-15

[5]

多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法 [P].

栗广奉 ;

郑安雄 ;

张鹏飞 ;

阮愉悦 ;

孔祥云 .

中国专利 :CN117776183A ,2024-03-29

[6]

一种硅碳负极材料生产用气相沉积装置 [P].

张朝峰 ;

孔令杰 ;

张龙海 ;

王睿 .

中国专利 :CN222349119U ,2025-01-14

[7]

硅碳负极材料及其采用低温硅碳沉积方式的制备方法 [P].

钱震 ;

韩晶 ;

李正秋 ;

罗修文 ;

刘凯 .

中国专利 :CN119297235A ,2025-01-10

[8]

一种气相硅碳负极材料制备系统和方法 [P].

贾彬彬 ;

焦大鹏 ;

昝河松 ;

王子源 ;

王运芬 ;

陆晶晶 .

中国专利 :CN120393868A ,2025-08-01

[9]

一种基于气相沉积方法制备硅碳负极材料的回转炉 [P].

陈跃峰 ;

张鹏妹 ;

张毅 .

中国专利 :CN117604500A ,2024-02-27

[10]

一种硅碳负极材料的制备方法和硅碳负极材料 [P].

韩峰 ;

王好东 ;

杨璋军 ;

杨攀 .

中国专利 :CN120039887B ,2025-08-29

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