一种多坩埚下降法单晶生长炉

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610154679.5

申请日：

2006-11-20

公开(公告)号：

CN100451179C

公开(公告)日：

2007-06-06

发明(设计)人：

黄国松徐铁峰聂秋华戴世勋

申请人：

申请人地址：

315211浙江省宁波市江北区风华路818号

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

代理机构：

宁波奥圣专利代理事务所（普通合伙）

代理人：

程晓明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-01-14	授权	授权
2015-01-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101594993682 IPC(主分类):C30B 11/00 专利号:ZL2006101546795 申请日:20061120 授权公告日:20090114 终止日期:20131120
2007-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-06-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种坩埚下降法单晶生长炉及其应用 [P].

李红军 ;

胡克艳 ;

徐军 ;

郭鑫 ;

苏良碧 ;

陈伟超 ;

钱小波 ;

唐慧丽 .

中国专利 :CN102127804B ,2011-07-20

[2]

钼酸铅单晶的坩埚下降法生长工艺 [P].

陈红兵 .

中国专利 :CN100489162C ,2005-07-06

[3]

硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长 [P].

何崇藩 ;

廖晶莹 ;

沈炳孚 ;

邵培发 ;

徐学武 ;

周乐中 ;

万立瑾 ;

王腊妹 ;

彭兆娟 .

中国专利 :CN1072221A ,1993-05-19

[4]

一种坩埚下降法生长炉测温装置 [P].

乔晓杰 ;

姜焕富 .

中国专利 :CN212988619U ,2021-04-16

[5]

钨酸镉闪烁单晶的坩埚下降法生长工艺 [P].

陈红兵 ;

肖华平 ;

杨培志 ;

徐卓 .

中国专利 :CN101294304A ,2008-10-29

[6]

坩埚下降法晶体生长炉的下降装置 [P].

臧春雨 ;

臧春和 ;

姜晓光 ;

李毅 ;

葛济铭 ;

万玉春 ;

贾志旭 .

中国专利 :CN103046115A ,2013-04-17

[7]

坩埚下降法生长炉的坩埚杆密封机构及生长炉 [P].

龚四均 .

中国专利 :CN204080175U ,2015-01-07

[8]

一种适用坩埚下降法的晶体生长炉 [P].

夏钰坤 ;

夏宗仁 ;

夏文英 ;

张婷 .

中国专利 :CN113913918A ,2022-01-11

[9]

四硼酸锂(LBO)单晶的坩埚下降法生长 [P].

范世 .

中国专利 :CN1015920B ,1990-05-30

[10]

多坩埚下降法晶体生长系统 [P].

万尤宝 .

中国专利 :CN200992592Y ,2007-12-19

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