光电二极管及光电二极管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510623624.3

申请日：

2015-09-25

公开(公告)号：

CN106558634B

公开(公告)日：

2017-04-05

发明(设计)人：

刘东庆

申请人：

申请人地址：

518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

IPC主分类号：

H01L31105

IPC分类号：

H01L310352 H01L3118

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

张大威

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/105 登记生效日:20191129 变更事项:专利权人变更前权利人:比亚迪股份有限公司变更后权利人:深圳比亚迪微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号变更后权利人:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
2017-04-05	公开	公开
2018-04-20	授权	授权
2017-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101723771610 IPC(主分类):H01L 31/105 专利申请号:2015106236243 申请日:20150925
2021-03-02	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 31/105 变更事项:专利权人变更前:深圳比亚迪微电子有限公司变更后:比亚迪半导体有限公司变更事项:地址变更前:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌葵涌街道延安路1号变更后:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
2021-03-02	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 31/105 变更事项:专利权人变更前:比亚迪半导体有限公司变更后:比亚迪半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号变更后:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号

共 50 条

[1]

光电二极管以及制造光电二极管的方法 [P].

D·郑 ;

J·琼斯 .

中国专利 :CN102064228A ,2011-05-18

[2]

光电二极管以及光电二极管阵列 [P].

山村和久 ;

坂本明 ;

永野辉昌 ;

石川嘉隆 ;

河合哲 .

中国专利 :CN102334198A ,2012-01-25

[3]

光电二极管以及光电二极管阵列 [P].

山村和久 ;

坂本明 ;

永野辉昌 ;

石川嘉隆 ;

河合哲 .

中国专利 :CN103606588A ,2014-02-26

[4]

光电二极管以及光电二极管阵列 [P].

山村和久 ;

坂本明 ;

永野辉昌 ;

石川嘉隆 ;

河合哲 .

中国专利 :CN104201219A ,2014-12-10

[5]

光电二极管以及光电二极管阵列 [P].

山村和久 ;

坂本明 ;

永野辉昌 ;

石川嘉隆 ;

河合哲 .

中国专利 :CN102334199B ,2012-01-25

[6]

光电二极管 [P].

B·罗德里格斯·冈卡尔维斯 ;

A·图尼耶 .

中国专利 :CN111564510A ,2020-08-21

[7]

光电二极管 [P].

张云山 .

中国专利 :CN203377243U ,2014-01-01

[8]

光电二极管 [P].

三浦规之 .

中国专利 :CN101183692A ,2008-05-21

[9]

光电二极管 [P].

B·罗德里格斯·冈卡尔维斯 ;

A·图尼耶 .

法国专利 :CN111564510B ,2025-06-27

[10]

光电二极管 [P].

宁志辉 .

中国专利 :CN306292808S ,2021-01-22

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