离子发生装置以及离子发生装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680046734.0

申请日：

2016-10-13

公开(公告)号：

CN108780982B

公开(公告)日：

2018-11-09

发明(设计)人：

冈野哲之江崎哲也松山贵洋大江信之山下光义谷口三奈子

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府堺市堺区匠町1番地

IPC主分类号：

H01T2300

IPC分类号：

A61L922 F24F700 H01T1904

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334

代理人：

汪飞亚;习冬梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-13	授权	授权
2018-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01T 23/00 申请日:20161013
2018-11-09	公开	公开

共 50 条

[1]

离子发生装置、离子发生装置的制造方法以及电气设备 [P].

西田弘 ;

冈野哲之 ;

大江信之 ;

山下光义 .

中国专利 :CN107925223A ,2018-04-17

[2]

离子发生元件、离子发生器以及离子发生装置 [P].

伊达和治 ;

坂井孝江 .

中国专利 :CN104541419B ,2015-04-22

[3]

离子发生装置、离子发生方法以及离子发生用靶 [P].

小岛完兴 ;

榊泰直 ;

宫武立彦 ;

近藤公伯 ;

黑木宏芳 ;

清水祐辅 ;

原田寿典 ;

井上典洋 .

日本专利 :CN120266246A ,2025-07-04

[4]

离子发生装置以及具备该离子发生装置的美容装置 [P].

北村央 .

中国专利 :CN102035141A ,2011-04-27

[5]

离子发生装置以及离子发生器 [P].

中林隆志 ;

林悠 .

中国专利 :CN108352681B ,2018-07-31

[6]

高能离子场发生装置以及离子场发生方法 [P].

韩汶冀 ;

赵永德 ;

韩易谋 .

中国专利 :CN105449535A ,2016-03-30

[7]

离子发生装置 [P].

转法轮德子 ;

汤川正吾 ;

北平真人 ;

原田茂幸 .

中国专利 :CN104115351B ,2014-10-22

[8]

离子发生装置 [P].

汤川正吾 ;

北平真人 ;

原田茂幸 .

中国专利 :CN204205286U ,2015-03-11

[9]

离子发生装置 [P].

花井孝广 ;

小林肇 ;

中村亘志 .

中国专利 :CN204732679U ,2015-10-28

[10]

离子发生装置 [P].

温铉基 ;

河恩珠 ;

朴来垠 .

中国专利 :CN102044847B ,2011-05-04

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