NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720339615.6

申请日：

2017-04-01

公开(公告)号：

CN206672641U

公开(公告)日：

2017-11-24

发明(设计)人：

苏志强张现聚李建新纪艳丽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层

IPC主分类号：

G11C1608

IPC分类号：

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

孟金喆;胡彬

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C 16/08 变更事项:专利权人变更前:北京兆易创新科技股份有限公司变更后:兆易创新科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前:100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层变更后:100094 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101
2017-11-24	授权	授权

共 50 条

[1]

NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片 [P].

苏志强 ;

张现聚 ;

李建新 ;

纪艳丽 .

中国专利 :CN108665927A ,2018-10-16

[2]

NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片 [P].

苏志强 ;

张现聚 ;

李建新 ;

纪艳丽 .

中国专利 :CN108665927B ,2024-01-23

[3]

一种NAND闪存芯片 [P].

苏志强 ;

程莹 ;

张现聚 ;

李建新 .

中国专利 :CN206672642U ,2017-11-24

[4]

提高NAND闪存的稳定性的方法和NAND闪存 [P].

杨艳伟 ;

罗新法 .

中国专利 :CN104461379A ,2015-03-25

[5]

NAND闪存器件 [P].

金鹤善 ;

孙洛辰 ;

李东镇 ;

林濬熙 ;

金圣洙 ;

赵汉旻 ;

咸治熊 .

韩国专利 :CN118119185A ,2024-05-31

[6]

NAND闪存的低电压保护方法及NAND闪存 [P].

李创锋 ;

胡肇文 ;

叶志伟 .

中国专利 :CN110164500A ,2019-08-23

[7]

NAND闪存装置 [P].

李永宅 ;

徐康德 .

中国专利 :CN1324480C ,2003-07-30

[8]

减小NAND闪存编程建立时间的电路和NAND闪存 [P].

朱长峰 ;

李琪 .

中国专利 :CN107945831A ,2018-04-20

[9]

NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存 [P].

李创锋 ;

李嘉伦 .

中国专利 :CN110134616A ,2019-08-16

[10]

NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存 [P].

李创锋 ;

李嘉伦 .

中国专利 :CN110309076A ,2019-10-08

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