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半导体结构的制作方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111441189.4
申请日：
2021-11-30
公开(公告)号：
CN114141714A
公开(公告)日：
2022-03-04
发明(设计)人：
肖德元
余泳
邵光速
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L218242
IPC分类号：
H01L27108
代理机构：
北京名华博信知识产权代理有限公司 11453
代理人：
李俊红
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-03-04 | 公开 | 公开 |
| 2022-03-22 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20211130 |
| 2022-06-03 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8242 登记生效日:20220520 变更事项:申请人 变更前权利人:长鑫存储技术有限公司 变更后权利人:长鑫存储技术有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号 变更后权利人:230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号 变更事项:申请人 变更后权利人:北京超弦存储器研究院 |