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薄膜沉积方法、半导体器件的制作方法及半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910718090.0
申请日：
2019-08-05
公开(公告)号：
CN112331554A
公开(公告)日：
2021-02-05
发明(设计)人：
不公告发明人
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H01L2102
IPC分类号：
C23C16513
代理机构：
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人：
王辉;阚梓瑄
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-02-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190805 |
| 2021-02-05 | 公开 | 公开 |
| 2022-03-04 | 授权 | 授权 |