非水电解质二次电池

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201180065328.6
申请日
2011-01-18
公开(公告)号
CN103299472B
公开(公告)日
2013-09-11
发明(设计)人
梶田彻也 笠原龙一 入山次郎 沼田达治
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01M100585
IPC分类号
H01M202 H01M436
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
叶晓勇;刘春元
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
非水电解质二次电池 [P]. 
柳田英雄 ;
泷本一树 .
中国专利 :CN103035921A ,2013-04-10
[2]
非水电解质二次电池 [P]. 
岩本拓也 ;
后藤夏美 ;
冢崎隆志 .
日本专利 :CN119731823A ,2025-03-28
[3]
非水电解质二次电池 [P]. 
神贵志 ;
新名史治 ;
柳田胜功 ;
马场泰宪 ;
森川有纪 .
中国专利 :CN110088970B ,2019-08-02
[4]
非水电解质二次电池 [P]. 
高桥康文 ;
木下晃 ;
户出晋吾 ;
长谷川和弘 ;
藤本洋行 ;
中根育朗 ;
藤谷伸 .
中国专利 :CN1934733A ,2007-03-21
[5]
非水电解质二次电池 [P]. 
山本泰右 ;
平冈树 ;
高桥庆一 ;
村冈芳幸 .
中国专利 :CN103947029A ,2014-07-23
[6]
非水电解质二次电池 [P]. 
井町直希 ;
中根育朗 ;
生川训 .
中国专利 :CN1389944A ,2003-01-08
[7]
非水电解质二次电池 [P]. 
清水纪之 ;
北尾英树 ;
喜田佳典 .
中国专利 :CN101017914A ,2007-08-15
[8]
非水电解质二次电池 [P]. 
梶田彻也 ;
高桥浩雄 ;
笠原龙一 ;
入山次郎 ;
沼田达治 .
中国专利 :CN102947988B ,2013-02-27
[9]
非水电解质二次电池 [P]. 
森岛秀树 ;
岩本拓也 ;
谷祐儿 ;
堀江健作 .
日本专利 :CN118613959A ,2024-09-06
[10]
非水电解质二次电池 [P]. 
三谷胜哉 ;
河野聪 ;
下冈俊晴 ;
山田将之 ;
关谷智仁 .
中国专利 :CN103915620B ,2014-07-09