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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200610107888.4
申请日：
2006-07-27
公开(公告)号：
CN100568473C
公开(公告)日：
2007-02-14
发明(设计)人：
东野朋子
宫崎忠一
阿部由之
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L2150
IPC分类号：
H01L2178
H01L21301
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2015-09-16 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101625754854 IPC(主分类):H01L 21/50 专利号:ZL2006101078884 申请日:20060727 授权公告日:20091209 终止日期:20140727 |
| 2010-10-20 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101033588094 IPC(主分类):H01L 21/50 专利号:ZL2006101078884 变更事项:专利权人 变更前权利人:株式会社瑞萨科技 变更后权利人:瑞萨电子株式会社 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京都 变更后权利人:日本神奈川县 登记生效日:20100907 |
| 2007-02-14 | 公开 | 公开 |
| 2008-09-17 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2009-12-09 | 授权 | 授权 |