具有碲化镉本征层的光伏电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110118328.X

申请日：

2011-04-28

公开(公告)号：

CN102237419A

公开(公告)日：

2011-11-09

发明(设计)人：

B·A·科雷瓦尔

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

H01L310328

IPC分类号：

H01L310352 H01L310224 H01L31075

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

朱海煜;王忠忠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-09	公开	公开
2013-04-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101435717762 IPC(主分类):H01L 31/0328 专利申请号:201110118328X 申请日:20110428
2016-08-31	授权	授权

共 50 条

[1]

形成碲化镉光伏电池的背接触电极的方法 [P].

B·A·科列瓦尔 ;

J·C·罗霍 ;

R·舒巴 .

中国专利 :CN102237445A ,2011-11-09

[2]

碲化镉光伏建筑构件 [P].

王志东 .

中国专利 :CN304029845S ,2017-02-08

[3]

将碲化镉层改性的方法和具有碲化镉层的薄膜器件 [P].

J·M·弗里 .

中国专利 :CN102290456A ,2011-12-21

[4]

具有碲钼多层复合薄膜的碲化镉太阳电池 [P].

李卫 ;

王洲玲 ;

张静全 ;

冯良桓 ;

武莉莉 ;

黎兵 ;

曾广根 ;

王文武 ;

胡玉 ;

唐容喆 .

中国专利 :CN104064617A ,2014-09-24

[5]

透光碲化镉光伏建筑构件 [P].

王志东 .

中国专利 :CN304029844S ,2017-02-08

[6]

碲化镉光伏扬水系统 [P].

鲍勇跃 ;

冯秀 .

中国专利 :CN221547219U ,2024-08-16

[7]

具有本征半导体层的晶片 [P].

N·达瓦尔 ;

C·奥尔奈特 ;

B-Y·阮 .

中国专利 :CN102709251B ,2012-10-03

[8]

一种碲化镉光伏电池电极及其制备方法 [P].

朱瑞 ;

沙锐 ;

吴疆 ;

龚旗煌 .

中国专利 :CN118173649A ,2024-06-11

[9]

用于光伏电池的新本征吸收体层 [P].

S-N.巴克赫-阿南加 ;

S.贝纳格利 .

中国专利 :CN102844892A ,2012-12-26

[10]

具有过渡层的碲化镉太阳电池 [P].

冯良桓 ;

蔡亚平 .

中国专利 :CN1055792C ,1996-04-10

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