MOS继电器的接线结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201821523859.0
申请日
2018-09-18
公开(公告)号
CN208723870U
公开(公告)日
2019-04-09
发明(设计)人
胡广华 刘伟信 郭明星 李子航
申请人
申请人地址
300000 天津市西青区西青学府工业区学府西路一号东区D16栋3层
IPC主分类号
H03K17687
IPC分类号
代理机构
天津展誉专利代理有限公司 12221
代理人
刘红春
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
MOS继电器 [P]. 
胡广华 ;
刘伟信 ;
郭明星 ;
李子航 .
中国专利 :CN208723868U ,2019-04-09
[2]
热继电器接线机构 [P]. 
徐继源 .
中国专利 :CN2148389Y ,1993-12-01
[3]
一种固态继电器接线端子结构及具有其的固态继电器 [P]. 
卓之冬 ;
王雷东 ;
方时旭 ;
叶国明 .
中国专利 :CN206711831U ,2017-12-05
[4]
一种继电器插座的接线结构及其继电器插座 [P]. 
董志珍 .
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[5]
光MOS固体继电器 [P]. 
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张飞翔 ;
刘影 ;
吴浩然 ;
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[6]
继电器、仪表的接线防护罩 [P]. 
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[7]
光MOS固体继电器 [P]. 
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[8]
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[9]
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[10]
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