功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080067692.1

申请日：

2010-06-24

公开(公告)号：

CN102947934A

公开(公告)日：

2013-02-27

发明(设计)人：

古川彰彦香川泰宏三浦成久日野史郎中田修平大塚健一渡边昭裕今泉昌之

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L218234 H01L2706 H01L2708 H01L27088 H01L2906 H01L2912 H01L2978

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

李渤

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-02	授权	授权
2013-04-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101425919343 IPC(主分类):H01L 27/04 专利申请号:2010800676921 申请日:20100624
2013-02-27	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件 [P].

斋藤涉 ;

小野升太郎 ;

薮崎宗久 ;

谷内俊治 ;

渡边美穗 .

中国专利 :CN102237409A ,2011-11-09

[2]

功率半导体器件 [P].

高秀秀 ;

柯攀 ;

戴小平 .

中国专利 :CN216250740U ,2022-04-08

[3]

功率半导体器件 [P].

斋藤涉 ;

大村一郎 ;

大桥弘通 .

中国专利 :CN100388509C ,2005-07-13

[4]

功率半导体器件 [P].

申洪植 .

韩国专利 :CN222721868U ,2025-04-04

[5]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

洪性兆 ;

姜守昶 ;

杨河龙 ;

徐永浩 .

中国专利 :CN110098124A ,2019-08-06

[6]

功率半导体器件 [P].

窦泽春 ;

肖红秀 ;

李继鲁 ;

方杰 ;

常桂钦 ;

刘国友 ;

彭勇殿 .

中国专利 :CN104134648A ,2014-11-05

[7]

功率半导体器件 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN203192800U ,2013-09-11

[8]

功率半导体器件 [P].

贺东晓 .

中国专利 :CN111554740A ,2020-08-18

[9]

功率半导体器件 [P].

B.施托伊布 ;

H-J.舒尔策 ;

M.C.赛费尔特 .

中国专利 :CN110504304A ,2019-11-26

[10]

功率半导体器件 [P].

R.巴布尔斯克 ;

M.耶利内克 ;

F-J.尼德诺斯泰德 ;

F.D.普菲尔施 ;

C.P.桑多 ;

H-J.舒尔策 .

德国专利 :CN111326575B ,2025-05-13

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