超导薄膜、超导薄膜制备方法及超导转变边沿探测器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911351224.6
申请日
2019-12-24
公开(公告)号
CN111101103A
公开(公告)日
2020-05-05
发明(设计)人
徐骁龙 李劲劲 王雪深 钟青 钟源 曹文会 王仕建 陈建
申请人
申请人地址
100029 北京市朝阳区北三环东路18号
IPC主分类号
C23C1435
IPC分类号
C23C1458 H01B1206 H01B1202 H01B1200 G01J142
代理机构
北京华进京联知识产权代理有限公司 11606
代理人
张书涛
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
超导转变边沿探测器多层超导薄膜制备方法及探测器 [P]. 
徐骁龙 ;
李劲劲 ;
王雪深 ;
钟青 ;
徐达 ;
陈建 ;
钟源 ;
曹文会 ;
王仕建 .
中国专利 :CN111640854A ,2020-09-08
[2]
超导薄膜、制备方法、超导转变边沿探测器及应用 [P]. 
徐骁龙 ;
李劲劲 ;
王雪深 ;
陈建 ;
钟青 ;
钟源 ;
曹文会 ;
王仕建 .
中国专利 :CN114141942A ,2022-03-04
[3]
一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器 [P]. 
高波 ;
陈建国 ;
吕越 ;
黄浩 ;
游天桂 ;
欧欣 ;
王镇 .
中国专利 :CN111575668A ,2020-08-25
[4]
超导薄膜制备方法及超导薄膜 [P]. 
倪健 ;
楼厦 ;
薛聪 .
中国专利 :CN112126983A ,2020-12-25
[5]
超导转变边沿探测器的测试装置 [P]. 
王雪深 ;
李万 ;
陈建 ;
范燕燕 ;
李劲劲 .
中国专利 :CN120831189A ,2025-10-24
[6]
一种X射线超导转变边沿探测器及其制备方法 [P]. 
王雪深 ;
陈建 ;
李劲劲 ;
徐骁龙 ;
李万 ;
王振宇 .
中国专利 :CN115101656A ,2022-09-23
[7]
超导转变边沿传感器的制备方法及超导转变边沿传感器 [P]. 
王雪深 ;
李万 ;
陈建 ;
李劲劲 .
中国专利 :CN120302872A ,2025-07-11
[8]
超导薄膜及其制备方法、超导量子干涉器件和感应式超导边缘探测器 [P]. 
钟青 ;
王雪深 ;
李劲劲 ;
曹文会 ;
钟源 ;
王兰若 .
中国专利 :CN109285942B ,2019-01-29
[9]
超导薄膜制备方法、超导薄膜、量子器件及量子芯片 [P]. 
应马可 .
中国专利 :CN115666213A ,2023-01-31
[10]
超导薄膜制备方法、超导薄膜、量子器件及量子芯片 [P]. 
应马可 .
中国专利 :CN115666213B ,2025-02-14