含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器

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专利类型
发明
申请号
CN200580049218.5
申请日
2005-09-14
公开(公告)号
CN101146742B
公开(公告)日
2008-03-19
发明(设计)人
神山达也 高松昇司
申请人
申请人地址
日本岐阜县
IPC主分类号
C01B3136
IPC分类号
B01D3920 C04B35626
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
丁香兰
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
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