一种协同作用可控制备有机半导体纳米线的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810988701.9
申请日
2018-08-28
公开(公告)号
CN109037448B
公开(公告)日
2018-12-18
发明(设计)人
廖良生 王雪东 卓明鹏 陶一辰 李治洲
申请人
申请人地址
215000 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
IPC主分类号
H01L5100
IPC分类号
B82Y3000 B82Y4000
代理机构
南京经纬专利商标代理有限公司 32200
代理人
尹红红
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种柔性有机半导体纳米线的制备方法 [P]. 
章晨 ;
罗少川 ;
汪太民 ;
滕超 ;
李林玲 ;
王勇 .
中国专利 :CN115513374B ,2025-03-11
[2]
一种柔性有机半导体纳米线的制备方法 [P]. 
章晨 ;
罗少川 ;
汪太民 ;
滕超 ;
李林玲 ;
王勇 .
中国专利 :CN115513374A ,2022-12-23
[3]
一种制备有机半导体材料红荧烯微-纳米线的方法 [P]. 
曾雄辉 ;
徐科 ;
张锦平 ;
张露 ;
黄凯 .
中国专利 :CN101476103B ,2009-07-08
[4]
一种有机半导体纳米线的制备工艺 [P]. 
王军 ;
胡玉磊 ;
刘娜 .
中国专利 :CN102738416A ,2012-10-17
[5]
用于制备有机半导体器件的方法 [P]. 
S·瓦伊迪耶纳森 ;
M·卡斯特勒 ;
B·谭 ;
周宓 .
中国专利 :CN104081551B ,2014-10-01
[6]
一维有机半导体纳米线圈及其制备方法和应用 [P]. 
车延科 ;
胡珂 ;
柳荫 ;
熊伟 ;
巩彦君 ;
赵进才 .
中国专利 :CN109705848A ,2019-05-03
[7]
一种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的制备方法 [P]. 
李侃 ;
邢英杰 ;
徐洪起 .
中国专利 :CN105679655A ,2016-06-15
[8]
有机半导体复合氧化钛纳米线的制备方法 [P]. 
高基伟 .
中国专利 :CN101148248A ,2008-03-26
[9]
通过熔融技术制备有机半导体器件的方法 [P]. 
S·塞塔伊什 ;
D·M·德李尤瓦 ;
N·斯图滋曼-斯丁格林 .
中国专利 :CN1947276A ,2007-04-11
[10]
一种制备有序一维有机纳米线阵列的方法 [P]. 
揭建胜 ;
吴艺明 ;
张希威 ;
张玉萍 ;
张晓珍 ;
卞良 .
中国专利 :CN103255374A ,2013-08-21