霍尔器件和磁传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02819427.6

申请日：

2002-09-30

公开(公告)号：

CN1561550A

公开(公告)日：

2005-01-05

发明(设计)人：

中村正广美浓亮子

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L4306

IPC分类号：

G01R3307

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

杜日新

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-06	授权	授权
2005-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2019-09-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 43/06 申请日:20020930 授权公告日:20080206 终止日期:20180930
2007-12-12	专利申请权、专利权的转移专利权的转移	专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:旭化成微系统株式会社变更后权利人:旭化成电子材料元件株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都变更事项:共同专利权人变更前权利人:旭化成电子株式会社变更后权利人:无登记生效日:20071109
2005-01-05	公开	公开

共 50 条

[1]

霍尔传感器和霍尔器件 [P].

丁刘胜 ;

柴战营 ;

严波 ;

王悦 .

中国专利 :CN119365060A ,2025-01-24

[2]

磁场传感器和霍尔器件 [P].

吴少兵 ;

朱涛 .

中国专利 :CN103278783A ,2013-09-04

[3]

三轴霍尔磁传感器 [P].

黄黎 ;

周巷庆 ;

凌方舟 ;

蒋乐跃 .

中国专利 :CN223296124U ,2025-09-02

[4]

三轴霍尔磁传感器 [P].

黄黎 ;

周巷庆 ;

凌方舟 ;

蒋乐跃 .

中国专利 :CN118914939A ,2024-11-08

[5]

利用反常霍尔效应的磁传感器和霍尔传感器以及霍尔传感器的制造方法 [P].

金泰完 .

中国专利 :CN113167841A ,2021-07-23

[6]

利用反常霍尔效应的磁传感器和霍尔传感器以及霍尔传感器的制造方法 [P].

金泰完 .

韩国专利 :CN113167841B ,2024-08-20

[7]

磁传感器和磁传感器装置 [P].

深井健太郎 ;

有山稔 .

中国专利 :CN107167164A ,2017-09-15

[8]

集成式霍尔磁传感器及其制造方法 [P].

何渊 .

中国专利 :CN113759295A ,2021-12-07

[9]

集成式霍尔磁传感器及其制造方法 [P].

何渊 .

中国专利 :CN113759295B ,2024-11-01

[10]

霍尔传感器 [P].

飞冈孝明 ;

近江俊彦 .

中国专利 :CN102315382B ,2012-01-11

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