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半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201980025203.7
申请日：
2019-03-22
公开(公告)号：
CN112020764A
公开(公告)日：
2020-12-01
发明(设计)人：
村上贤史
高梨启一
申请人：
申请人地址：
日本东京都港区芝浦一丁目2番1号
IPC主分类号：
H01L2166
IPC分类号：
H01L21304
G01B1124
代理机构：
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100
代理人：
刘秀青
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-12-01 | 公开 | 公开 |
| 2020-12-18 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20190322 |