发光二极管结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010151258.7
申请日
2020-03-06
公开(公告)号
CN113363367A
公开(公告)日
2021-09-07
发明(设计)人
陈书伟 倪庆怀 黄国维 郭家彰
申请人
申请人地址
中国台湾新竹市新竹科学园区工业东三路3号
IPC主分类号
H01L3348
IPC分类号
H01L3356 H01L3358 H01L3360 H01L3302
代理机构
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
徐金国
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
发光二极管结构 [P]. 
林士杰 ;
陈立敏 ;
陈咏杰 .
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[2]
发光二极管结构 [P]. 
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李坤锥 .
中国专利 :CN110491865A ,2019-11-22
[3]
发光二极管结构 [P]. 
周万顺 .
中国专利 :CN2627655Y ,2004-07-21
[4]
发光二极管结构 [P]. 
张家寿 .
中国专利 :CN101598312A ,2009-12-09
[5]
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陈冠宇 .
中国专利 :CN102044595A ,2011-05-04
[6]
发光二极管结构 [P]. 
许嘉芸 ;
徐志宏 .
中国专利 :CN102044596A ,2011-05-04
[7]
发光二极管结构 [P]. 
张家寿 .
中国专利 :CN101615643A ,2009-12-30
[8]
发光二极管结构 [P]. 
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张家寿 .
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[9]
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[10]
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