压力控制方法、压力控制装置及半导体工艺设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110505268.0
申请日
2021-05-10
公开(公告)号
CN113110632A
公开(公告)日
2021-07-13
发明(设计)人
郑文宁 赵迪 王蒙
申请人
申请人地址
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号1幢506室
IPC主分类号
G05D1620
IPC分类号
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
彭瑞欣;王婷
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体工艺设备的压力控制装置及半导体工艺设备 [P]. 
闫士泉 ;
方洋 ;
袁和传 ;
陈建升 .
中国专利 :CN218471897U ,2023-02-10
[2]
压力控制方法及半导体工艺设备 [P]. 
纪辉 ;
王艳 .
中国专利 :CN119890070A ,2025-04-25
[3]
压力控制方法、装置及半导体工艺设备 [P]. 
郑文宁 ;
赵迪 ;
董策 ;
吴昊 ;
曹洋涌 .
中国专利 :CN118712095A ,2024-09-27
[4]
压力控制方法、装置及半导体工艺设备 [P]. 
郑文宁 ;
赵迪 ;
杜传正 .
中国专利 :CN115145319B ,2025-04-04
[5]
压力控制方法、装置及半导体工艺设备 [P]. 
郑文宁 ;
赵迪 ;
杜传正 .
中国专利 :CN115145319A ,2022-10-04
[6]
半导体工艺设备和压力控制方法 [P]. 
方洋 ;
闫士泉 ;
王立卡 ;
石磊 .
中国专利 :CN114975190B ,2025-08-26
[7]
半导体工艺设备及腔室压力控制方法 [P]. 
周广才 ;
刘学庆 .
中国专利 :CN114281120B ,2024-03-26
[8]
半导体工艺设备及腔室压力控制方法 [P]. 
周广才 ;
刘学庆 .
中国专利 :CN114281120A ,2022-04-05
[9]
升降针装置、半导体工艺设备及压力控制方法 [P]. 
刘贺 ;
张新翌 ;
吕超 .
中国专利 :CN119230470A ,2024-12-31
[10]
反应腔室的压力控制方法、装置和半导体工艺设备 [P]. 
郑文宁 ;
赵迪 ;
吴昊 .
中国专利 :CN114706431A ,2022-07-05