一种肖特基二极管

被引：0

申请号：

CN202123074215.2

申请日：

2021-12-07

公开(公告)号：

CN216698373U

公开(公告)日：

2022-06-07

发明(设计)人：

单亚东谢刚胡丹

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科智西路5号科苑西25栋A609

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29872 H01L21329

代理机构：

深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542

代理人：

王启蒙

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-07	授权	授权

共 50 条

[1]

肖特基二极管 [P].

单亚东 ;

谢刚 ;

胡丹 .

中国专利 :CN217214725U ,2022-08-16

[2]

一种肖特基二极管 [P].

单亚东 ;

谢刚 ;

胡丹 .

中国专利 :CN216871977U ,2022-07-01

[3]

沟槽肖特基二极管 [P].

余强 ;

焦伟 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

张小辛 .

中国专利 :CN206878007U ,2018-01-12

[4]

一种肖特基二极管 [P].

李伟聪 .

中国专利 :CN207074661U ,2018-03-06

[5]

肖特基二极管 [P].

陆阳 ;

韩广涛 ;

黄必亮 ;

周逊伟 .

中国专利 :CN205752185U ,2016-11-30

[6]

一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管 [P].

乐双申 ;

何增谊 ;

陈兆萍 .

中国专利 :CN117976537A ,2024-05-03

[7]

一种肖特基二极管 [P].

王作义 ;

陈小铎 ;

崔永明 ;

马洪文 ;

白磊 .

中国专利 :CN205692841U ,2016-11-16

[8]

一种肖特基二极管 [P].

杨进 ;

姚强 .

中国专利 :CN214012948U ,2021-08-20

[9]

肖特基二极管结构 [P].

李永忠 ;

潘宗铭 .

中国专利 :CN202307900U ,2012-07-04

[10]

高压肖特基二极管 [P].

龚利汀 ;

刘宁 .

中国专利 :CN209216985U ,2019-08-06

← 1 2 3 4 5 →