页缓冲器、具有页缓冲器的存储器装置及其操作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911133016.9
申请日
2019-11-19
公开(公告)号
CN111798901A
公开(公告)日
2020-10-20
发明(设计)人
李正焕 高正美 金志桓 白侊虎 郑暎燉
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
G11C1604
IPC分类号
G11C1608 G11C1610 G11C1612 G11C1624 G11C1630 G11C1634
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
刘久亮;黄纶伟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
页缓冲器、具有页缓冲器的存储器装置及其操作方法 [P]. 
李正焕 ;
高正美 ;
金志桓 ;
白侊虎 ;
郑暎燉 .
韩国专利 :CN111798901B ,2024-01-05
[2]
页缓冲器、包括该页缓冲器的存储器装置及其操作方法 [P]. 
梁仁坤 ;
金兑祜 ;
辛在贤 ;
林星默 .
中国专利 :CN114373498A ,2022-04-19
[3]
存储器装置及其操作方法以及页缓冲器 [P]. 
崔亨进 .
中国专利 :CN114067864A ,2022-02-18
[4]
页缓冲器、半导体存储器装置及其操作方法 [P]. 
崔亨进 .
韩国专利 :CN114822648B ,2025-05-09
[5]
页缓冲器、半导体存储器装置及其操作方法 [P]. 
崔亨进 .
中国专利 :CN114822648A ,2022-07-29
[6]
页缓冲器、包括页缓冲器的存储器装置、以及存储器系统 [P]. 
朴康愚 .
韩国专利 :CN118113634A ,2024-05-31
[7]
包括页缓冲器的存储器器件、包括页缓冲器的存储器系统及其操作方法 [P]. 
王砚 ;
郭晓江 .
中国专利 :CN118366522A ,2024-07-19
[8]
页缓冲器和具有页缓冲器的半导体存储器装置 [P]. 
朴康愚 ;
蔡洙悦 .
韩国专利 :CN113409848B ,2025-02-14
[9]
页缓冲器和具有页缓冲器的半导体存储器装置 [P]. 
朴康愚 ;
蔡洙悦 .
中国专利 :CN113409848A ,2021-09-17
[10]
页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的存储器装置 [P]. 
梁铉圭 .
韩国专利 :CN120496605A ,2025-08-15