大比表面积氧化锰空心纳米球的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810150715.X

申请日：

2008-08-25

公开(公告)号：

CN101343081A

公开(公告)日：

2009-01-14

发明(设计)人：

刘宗怀唐秀花

申请人：

申请人地址：

710062陕西省西安市长安南路199号

IPC主分类号：

C01G4502

IPC分类号：

代理机构：

西安永生专利代理有限责任公司

代理人：

申忠才

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101587690479 IPC(主分类):C01G 45/02 专利号:ZL200810150715X 申请日:20080825 授权公告日:20100818 终止日期:20130825
2010-08-18	授权	授权
2009-03-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-01-14	公开	公开

共 50 条

[1]

大比表面积层状氧化锰花球的制备方法 [P].

刘宗怀 ;

朱刚 .

中国专利 :CN102092791B ,2011-06-15

[2]

大比表面积介孔自组装结构氧化锰的制备方法 [P].

刘宗怀 ;

张改妮 .

中国专利 :CN104045114B ,2014-09-17

[3]

制备大比表面积球形氧化铈的方法 [P].

赵永志 ;

张瑞祥 ;

郝先库 ;

贾红梅 ;

王士智 ;

刘海旺 ;

刘莎莎 ;

马显东 ;

许宗泽 .

中国专利 :CN105236462A ,2016-01-13

[4]

一种大比表面积纳米氧化钕制备方法 [P].

龚晔 .

中国专利 :CN106277021A ,2017-01-04

[5]

一种大比表面积纳米氧化镥的制备方法 [P].

王鹭 .

中国专利 :CN109019655A ,2018-12-18

[6]

一种大比表面积纳米氧化铟的制备方法 [P].

王凯 ;

黄作 ;

郑飞雄 ;

张倍维 ;

梁盈祥 ;

宋春华 .

中国专利 :CN112551572A ,2021-03-26

[7]

低成本大比表面积氧化铈的制备方法 [P].

黄贻展 ;

尹鹏 ;

王忠 ;

徐清辉 .

中国专利 :CN104148116A ,2014-11-19

[8]

二氧化锰空心球的制备方法 [P].

刘宗怀 ;

何学侠 .

中国专利 :CN101624213A ,2010-01-13

[9]

一种大比表面积纳米氧化锌的制备方法 [P].

孟祥瑞 .

中国专利 :CN107304064A ,2017-10-31

[10]

大比表面积稀土氧化物及其制备方法 [P].

陆世鑫 ;

吴介达 ;

王振华 ;

王晔明 ;

张德源 .

中国专利 :CN1043216C ,1996-11-20

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