基于纳米银修饰的诺氟沙星分子印迹电化学传感器的制备方法及应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201711332346.1
申请日
2017-12-13
公开(公告)号
CN108152346A
公开(公告)日
2018-06-12
发明(设计)人
闫长领 王新生 陈玉娟 王公轲 张瑞星
申请人
申请人地址
453007 河南省新乡市牧野区建设东路46号
IPC主分类号
G01N2726
IPC分类号
G01N2730
代理机构
新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 41139
代理人
路宽
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
基于纳米银修饰的水杨酸分子印迹电化学传感器的制备方法及应用 [P]. 
闫长领 ;
张瑞星 ;
王新生 ;
陈玉娟 ;
刘玉民 ;
王公轲 .
中国专利 :CN108107095A ,2018-06-01
[2]
基于纳米银修饰的对羟基苯甲酸分子印迹电化学传感器的制备方法及应用 [P]. 
闫长领 ;
陈玉娟 ;
王新生 ;
刘玉民 ;
王公轲 ;
张瑞星 .
中国专利 :CN107991361A ,2018-05-04
[3]
一种检测诺氟沙星的表面分子印迹电化学传感器的制备方法 [P]. 
陈建军 ;
吕振艳 ;
张耀华 ;
马媛 ;
王吉 ;
王荭峰 .
中国专利 :CN118243751A ,2024-06-25
[4]
一种用于诺氟沙星分子印迹电化学传感器的修饰电极及其制备方法 [P]. 
水玲玲 ;
刘振平 ;
金名亮 .
中国专利 :CN109270135A ,2019-01-25
[5]
一种分子印迹电化学传感器的制备及应用方法 [P]. 
杜平 .
中国专利 :CN104807874A ,2015-07-29
[6]
一种双酚A分子印迹电化学传感器的制备方法 [P]. 
刘本志 ;
金建祥 ;
周飞 ;
王群 ;
曹燕 ;
王敏 .
中国专利 :CN111551606A ,2020-08-18
[7]
甲砜霉素分子印迹电化学传感器的应用 [P]. 
杨光明 ;
刘卫 ;
徐世娟 ;
陈显兰 ;
石玲 .
中国专利 :CN110568038B ,2019-12-13
[8]
分子印迹电化学传感器及其制备方法 [P]. 
李蕾 ;
刘海清 ;
翟云云 ;
王丹丹 ;
张祖磊 ;
蒋钰宙 .
中国专利 :CN103399052A ,2013-11-20
[9]
3-硝基酪氨酸的分子印迹电化学传感器的制备及应用 [P]. 
潘育方 ;
汪世桥 ;
翟海云 ;
周清 ;
杨帆 .
中国专利 :CN107085022B ,2017-08-22
[10]
一种分子印迹电化学传感器及其检测叶酸含量的方法 [P]. 
杨可武 ;
吴海燕 ;
闫煜 ;
王国华 ;
郑东晖 ;
吴正达 .
中国专利 :CN112067674B ,2024-12-20