发光二极管外延片、其制作方法及芯片的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910258858.7

申请日：

2009-12-29

公开(公告)号：

CN102034912A

公开(公告)日：

2011-04-27

发明(设计)人：

张旺苏喜林胡红坡谢春林

申请人：

申请人地址：

518118 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号

IPC主分类号：

H01L3344

IPC分类号：

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

共 50 条

[1]

一种发光二极管外延片及制作方法 [P].

何鹏 .

中国专利 :CN106653963A ,2017-05-10

[2]

一种发光二极管外延片的制作方法及其发光二极管外延片 [P].

葛永晖 ;

郭炳磊 ;

刘旺平 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN108987540A ,2018-12-11

[3]

一种发光二极管外延片的制作方法及其发光二极管外延片 [P].

葛永晖 ;

郭炳磊 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN108598224B ,2018-09-28

[4]

发光二极管外延片制作方法及发光二极管外延片 [P].

从颖 ;

姚振 ;

胡加辉 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN105679893A ,2016-06-15

[5]

一种发光二极管外延片的制作方法及发光二极管外延片 [P].

郭炳磊 ;

王群 ;

葛永晖 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109346572B ,2019-02-15

[6]

一种发光二极管外延片、发光二极管及外延片的制作方法 [P].

吴克敏 ;

徐瑾 ;

王江波 .

中国专利 :CN105514232A ,2016-04-20

[7]

发光二极管外延片及其制作方法 [P].

陶章峰 ;

胡烨伟 ;

程金连 ;

曹阳 ;

乔楠 ;

李鹏 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN110364598A ,2019-10-22

[8]

发光二极管外延片及其制作方法 [P].

李昱桦 ;

乔楠 ;

陈柏松 ;

胡加辉 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN104993027A ,2015-10-21

[9]

发光二极管外延片及其制作方法 [P].

向锦涛 ;

苏军 ;

刘为刚 ;

徐平 .

中国专利 :CN105261680A ,2016-01-20

[10]

一种发光二极管外延片及其制作方法 [P].

吴克敏 ;

徐瑾 ;

王江波 .

中国专利 :CN105390577A ,2016-03-09

← 1 2 3 4 5 →

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/44 登记生效日:20200107 变更事项:专利权人变更前权利人:比亚迪股份有限公司变更后权利人:深圳比亚迪微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:518118 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号变更后权利人:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
2015-03-25	授权	授权
2021-03-12	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/44 变更事项:专利权人变更前:深圳比亚迪微电子有限公司变更后:比亚迪半导体有限公司变更事项:地址变更前:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号变更后:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
2021-03-12	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/44 变更事项:专利权人变更前:比亚迪半导体有限公司变更后:比亚迪半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号变更后:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
2011-04-27	公开	公开
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101079139138 IPC(主分类):H01L 33/44 专利申请号:2009102588587 申请日:20091229