肖特基二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110301651.0

申请日：

2011-09-30

公开(公告)号：

CN103035586A

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

孔明

申请人：

申请人地址：

213177 江苏省常州市天宁区城市花园9幢1201室

IPC主分类号：

H01L2329

IPC分类号：

代理机构：

常州市维益专利事务所 32211

代理人：

王凌霄

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-10	公开	公开
2015-05-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101715452872 IPC(主分类):H01L 23/29 专利申请号:2011103016510 申请公布日:20130410

共 50 条

[1]

一种肖特基二极管 [P].

孔明 .

中国专利 :CN202259240U ,2012-05-30

[2]

肖特基二极管 [P].

韩建军 .

中国专利 :CN201126822Y ,2008-10-01

[3]

一种肖特基二极管 [P].

周明 .

中国专利 :CN105655412A ,2016-06-08

[4]

肖特基二极管 [P].

王飞 .

中国专利 :CN103035751A ,2013-04-10

[5]

肖特基二极管 [P].

Z·A·莎菲 ;

J·A·巴布科克 .

中国专利 :CN102870222B ,2013-01-09

[6]

太赫兹肖特基二极管 [P].

王昊 .

中国专利 :CN102903761B ,2013-01-30

[7]

肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

冯会会 ;

许志城 .

中国专利 :CN112086353A ,2020-12-15

[8]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336090A ,2018-07-27

[9]

肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

冯会会 ;

许志城 .

中国专利 :CN112086353B ,2024-10-01

[10]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336149B ,2018-07-27

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