半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580011623.1

申请日：

2015-08-13

公开(公告)号：

CN106062966A

公开(公告)日：

2016-10-26

发明(设计)人：

松井俊之

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

H01L21265 H01L21322 H01L21329 H01L2906 H01L29868

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

孙昌浩;李盛泉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-26	公开	公开
2019-04-26	授权	授权
2016-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101688774047 IPC(主分类):H01L 29/861 专利申请号:2015800116231 申请日:20150813

共 50 条

[1]

半导体芯片的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体芯片及半导体装置 [P].

谷田一真 ;

根本义彦 ;

田中直敬 .

中国专利 :CN1551312A ,2004-12-01

[2]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

佐藤隆夫 .

中国专利 :CN104916551A ,2015-09-16

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

陈则 .

中国专利 :CN114078963A ,2022-02-22

[4]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

吉成正敬 .

中国专利 :CN103887170A ,2014-06-25

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

大村翼 ;

加藤雅俊 ;

小坂尚史 ;

宍户雄一郎 .

日本专利 :CN118541800A ,2024-08-23

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

铃木健司 ;

西康一 ;

中村胜光 .

中国专利 :CN113345959A ,2021-09-03

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

铃木健司 ;

西康一 ;

中村胜光 .

日本专利 :CN113345959B ,2024-07-05

[8]

半导体基板、半导体装置、及半导体装置的制造方法 [P].

竹中充 ;

高木信一 ;

秦雅彦 ;

市川磨 .

中国专利 :CN101960605A ,2011-01-26

[9]

半导体装置、半导体模块及半导体装置的制造方法 [P].

野村一城 ;

大桥健一 ;

山下创一 ;

森健太郎 ;

村吉彬 ;

奥山拓希 .

日本专利 :CN118676099A ,2024-09-20

[10]

半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法 [P].

田渕慎一 ;

阿多保夫 .

日本专利 :CN111954926B ,2024-04-30

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