氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910086201.0

申请日：

2019-01-29

公开(公告)号：

CN109920889A

公开(公告)日：

2019-06-21

发明(设计)人：

刘旺平乔楠吕蒙普胡加辉李鹏

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

H01L3302 H01L3300

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/04 申请日:20190129
2019-06-21	公开	公开
2020-07-07	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

张奕 ;

董彬忠 ;

王江波 .

中国专利 :CN112133799A ,2020-12-25

[2]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

刘旺平 ;

乔楠 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109980056B ,2019-07-05

[3]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

丁涛 ;

韦春余 ;

周飚 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN108630791A ,2018-10-09

[4]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

曹阳 ;

乔楠 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109830580B ,2019-05-31

[5]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

李鹏 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN109904288A ,2019-06-18

[6]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

陶章峰 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

李鹏 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN109768133A ,2019-05-17

[7]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

曹阳 ;

陆香花 ;

丁涛 ;

吕蒙普 ;

梅劲 .

中国专利 :CN112510125A ,2021-03-16

[8]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

丁杰 ;

秦双娇 ;

胡任浩 ;

周飚 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN109950368A ,2019-06-28

[9]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

曹阳 ;

乔楠 ;

李鹏 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN109920896B ,2019-06-21

[10]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

刘旺平 ;

乔楠 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109920883A ,2019-06-21

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