一种硅碳复合负极材料制备系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201922391100.2

申请日：

2019-12-24

公开(公告)号：

CN212033167U

公开(公告)日：

2020-11-27

发明(设计)人：

居峥唐瑞波刘远辉韦福忠杨勇

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区嘉定工业区叶城路912号J5088室

IPC主分类号：

H01M10058

IPC分类号：

H01M4134 H01M41395 H01M100525

代理机构：

上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243

代理人：

王奎宇;杨孟娟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-27	授权	授权

共 50 条

[1]

一种硅碳复合负极材料、应用、制备方法及制备系统 [P].

居峥 ;

唐瑞波 ;

刘远辉 ;

韦福忠 ;

杨勇 .

中国专利 :CN113036224B ,2025-04-01

[2]

一种硅碳复合负极材料、应用、制备方法及制备系统 [P].

居峥 ;

唐瑞波 ;

刘远辉 ;

韦福忠 ;

杨勇 .

中国专利 :CN113036224A ,2021-06-25

[3]

一种硅碳复合负极材料的制备方法 [P].

田东 .

中国专利 :CN104900843A ,2015-09-09

[4]

一种硅碳复合负极材料的制备方法 [P].

刘德志 ;

李兴涛 ;

唐金柱 ;

焦贵彬 ;

李晓凌 ;

商军 .

中国专利 :CN111540896A ,2020-08-14

[5]

一种硅碳复合负极材料的制备方法 [P].

高源 ;

夏晶 ;

李枢相 ;

王艳红 ;

李琼光 ;

苏发兵 .

中国专利 :CN115020666B ,2024-07-02

[6]

一种硅碳复合负极材料的制备方法 [P].

高源 ;

夏晶 ;

李枢相 ;

王艳红 ;

李琼光 ;

苏发兵 .

中国专利 :CN115020666A ,2022-09-06

[7]

一种硅碳复合负极材料的制备方法 [P].

刘盛华 ;

林少雄 ;

许家齐 ;

王辉 ;

齐美洲 ;

辛昱 ;

赵宇飞 ;

张辰 ;

丁男 .

中国专利 :CN112164773A ,2021-01-01

[8]

硅碳复合负极材料的制备方法、硅碳复合负极材料及应用 [P].

张立君 ;

吴磊 ;

杜宁 ;

岳敏 .

中国专利 :CN120955100A ,2025-11-14

[9]

一种硅碳复合负极材料制备装置 [P].

张立 ;

李伟 .

中国专利 :CN221071040U ,2024-06-04

[10]

一种硅碳复合负极材料制备装置 [P].

焦贵彬 .

中国专利 :CN215783797U ,2022-02-11

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