非易失性存储存储器中的处理器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710840390.7
申请日
2017-09-15
公开(公告)号
CN108269602A
公开(公告)日
2018-07-10
发明(设计)人
L.卡格尼尼 V.杜贝科
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
G11C1626
IPC分类号
G11C1634
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
万里晴
法律状态
授权
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
在非易失性固态储存器中的非易失性RAM存储器和闪存存储器 [P]. 
J·海耶斯 ;
S·古普塔 ;
J·戴维斯 ;
B·金 ;
Z·谭 .
中国专利 :CN106663054A ,2017-05-10
[2]
非易失性半导体存储器 [P]. 
滨本幸昌 ;
土岐和启 .
中国专利 :CN102301426A ,2011-12-28
[3]
存储器的易失性管理 [P]. 
V.杜贝科 ;
L.卡格尼尼 .
中国专利 :CN111164694A ,2020-05-15
[4]
使用易失性存储器作为非易失性存储器 [P]. 
B·科利 ;
M·桑塔尼尔罗 ;
S·戈文丹 ;
A·巴达姆 .
中国专利 :CN108369488B ,2018-08-03
[5]
非易失性静态存储器单元 [P]. 
R·库彭斯 ;
A·M·H·迪特维格 .
中国专利 :CN1809894B ,2006-07-26
[6]
非易失性半导体存储器 [P]. 
L·弗伯斯 .
中国专利 :CN1816913A ,2006-08-09
[7]
具备非易失性半导体存储器的存储器系统 [P]. 
辻秀贵 .
中国专利 :CN101097543A ,2008-01-02
[8]
非易失性存储设备集合的易失性存储器表示 [P]. 
K.梅拉 .
中国专利 :CN102929786A ,2013-02-13
[9]
在非易失性子阵列中存储存储器阵列操作信息 [P]. 
C·J·川村 ;
S·J·德尔纳 ;
C·L·英戈尔斯 .
中国专利 :CN109791783A ,2019-05-21
[10]
非易失性半导体存储器设备 [P]. 
崔元载 ;
金定焕 ;
成纹守 .
韩国专利 :CN117373514A ,2024-01-09