片状Ni3S2包覆柱状Ni3S2阵列电极的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811540762.5
申请日
2018-12-17
公开(公告)号
CN109686591B
公开(公告)日
2019-04-26
发明(设计)人
王育乔 李红颜 王青青 刘斯琦 孙岳明
申请人
申请人地址
210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
IPC主分类号
H01G1186
IPC分类号
H01G1124 H01G1130 C01G5311 B82Y3000 B82Y4000
代理机构
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204
代理人
柏尚春
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种Ni3S2/d-Ti3C2/Ni复合电极材料及其制备方法 [P]. 
赵英渊 ;
郭静 .
中国专利 :CN109686577A ,2019-04-26
[2]
一种等级蜂窝状Ni3S2薄膜电极的制备方法 [P]. 
肖婷 ;
谭新玉 ;
向鹏 ;
姜礼华 .
中国专利 :CN110444412A ,2019-11-12
[3]
一种MoS2/Ni3S2电极材料及其制备方法和应用 [P]. 
黄柏标 ;
刘小磊 ;
王朋 ;
王泽岩 ;
张晓阳 ;
秦晓燕 ;
郑昭科 ;
刘媛媛 ;
张倩倩 .
中国专利 :CN109046383A ,2018-12-21
[4]
Mn掺杂Ni3S2纳米阵列析氢催化剂及其制备方法和应用 [P]. 
孔荣梅 ;
杜蕙同 ;
渠凤丽 .
中国专利 :CN109055972B ,2018-12-21
[5]
一种具有片层结构的纳米Ni3S2材料的制备方法 [P]. 
赵海雷 ;
张子佳 ;
曾志鹏 ;
高春辉 ;
夏青 .
中国专利 :CN104201380A ,2014-12-10
[6]
碳修饰的三维树状Ni3S2电极材料用于超级电容器 [P]. 
韩丹丹 ;
魏金鹤 ;
潘怡帆 ;
赵远 ;
申烨 ;
高冬岩 .
中国专利 :CN112133569A ,2020-12-25
[7]
一种Ni/Ni3S2纳米簇-石墨烯复合材料及其制备方法和应用 [P]. 
石岩 ;
张可菁 ;
刘明人 ;
司梦莹 ;
柴立元 ;
杨志辉 .
中国专利 :CN112076763A ,2020-12-15
[8]
一种用于钠离子电池负极材料的Ni3S2/C复合材料的制备方法 [P]. 
杨志韬 ;
薛浩浩 ;
刘刚 ;
张宇航 .
中国专利 :CN119660819A ,2025-03-21
[9]
一种花型的Ni3S2/石墨烯三维复合电极材料及其制备方法 [P]. 
蔺华林 ;
刘凡 ;
黄奇 ;
卢德力 ;
蒋建忠 ;
熊丽萍 ;
何忠义 ;
艾亚妮 ;
王鑫晶 ;
王驰 ;
叶冯英 ;
蒋曙 ;
储磊 ;
马鹏 ;
李飞 ;
刘益林 ;
孙赛楠 ;
杭智军 ;
武慧慧 ;
王金钻 ;
何义 ;
余伟萍 ;
韩生 .
中国专利 :CN105244176A ,2016-01-13
[10]
一种Ni3S2/NiV-LDH异质纳米锥电催化剂的制备方法 [P]. 
冯亮亮 ;
付常乐 ;
黄剑锋 ;
曹丽云 ;
冯永强 .
中国专利 :CN111468140B ,2020-07-31