非易失性存储器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610168026.2

申请日：

2006-12-15

公开(公告)号：

CN101097965A

公开(公告)日：

2008-01-02

发明(设计)人：

崔殷硕

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L29792

IPC分类号：

H01L29423 H01L27115 H01L21336 H01L2128 H01L218247

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

杨生平;杨红梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-02	公开	公开
2008-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-11-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

尹光铉 .

中国专利 :CN101894804A ,2010-11-24

[2]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

金荣俊 ;

金大雄 ;

金民 .

中国专利 :CN1779981A ,2006-05-31

[3]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

崔元烈 .

中国专利 :CN100511650C ,2007-11-28

[4]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

金元柱 ;

金锡必 ;

朴允童 .

中国专利 :CN101114653A ,2008-01-30

[5]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

郑真孝 .

中国专利 :CN101471384A ,2009-07-01

[6]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

李起洪 ;

洪权 .

中国专利 :CN101771053B ,2010-07-07

[7]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

金东彻 ;

柳寅儆 ;

李明宰 ;

徐顺爱 ;

白寅圭 ;

安承彦 ;

朴炳昊 ;

车映官 ;

朴祥珍 .

中国专利 :CN1964050B ,2007-05-16

[8]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

高利尚卡尔·钦达劳雷 ;

保罗·A·英格尔索尔 ;

克莱格·T·斯维夫特 ;

亚历山大·B·豪伊夫勒 .

中国专利 :CN101197292B ,2008-06-11

[9]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

高利尚卡尔·钦达劳雷 ;

保罗·A·英格尔索尔 ;

克莱格·T·斯维夫特 ;

亚历山大·B·豪伊夫勒 .

中国专利 :CN100420036C ,2005-10-26

[10]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

黄胜民 ;

金铉修 .

中国专利 :CN102142400A ,2011-08-03

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