一种二硫化钼的基底转移方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610178692.8

申请日：

2016-03-25

公开(公告)号：

CN107226486A

公开(公告)日：

2017-10-03

发明(设计)人：

张艳锋马冬林史建平

申请人：

申请人地址：

100000 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

C01G3906

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

关畅;王春霞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-03	公开	公开
2017-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 39/06 申请日:20160325
2019-10-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01G 39/06 申请公布日:20171003

共 50 条

[1]

一种溶解二硫化钼的方法 [P].

唐军利 .

中国专利 :CN105177319A ,2015-12-23

[2]

一种二硫化钼量子点的制备方法 [P].

汪远昊 ;

宋驁天 ;

王世锋 ;

乔宝伟 ;

林仕洲 .

中国专利 :CN107384390A ,2017-11-24

[3]

一种二硫化钼量子点的制备方法 [P].

汪远昊 ;

宋驁天 ;

彭晋卿 ;

詹宸 ;

王墨涵 .

中国专利 :CN107215899A ,2017-09-29

[4]

一种纳米二硫化钼的制备方法及其制备的二硫化钼 [P].

蒋晓青 ;

刘怀志 .

中国专利 :CN107500358A ,2017-12-22

[5]

一种纳米二硫化钼的制备方法 [P].

张旭明 ;

袁永浩 ;

宋豪 ;

霍开富 ;

王博 ;

孙梦婕 .

中国专利 :CN120117654A ,2025-06-10

[6]

一种硫化铜/二硫化钼的制备方法 [P].

董才富 ;

张艺凡 ;

刘肖 ;

明玉 ;

高玉洁 ;

张晓彤 .

中国专利 :CN117756182A ,2024-03-26

[7]

一种纳米二硫化钼的制备方法 [P].

彭润玲 ;

尹沙沙 ;

曾群锋 ;

肖明春 ;

曹蔚 ;

王鹏 .

中国专利 :CN109704406A ,2019-05-03

[8]

多层二硫化钼材料的制备方法 [P].

郭兴忠 ;

王子晨 ;

梁浩 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106629852B ,2017-05-10

[9]

一种二硫化钼微球的制备方法 [P].

唐华 ;

张向华 ;

张杜 ;

吴孔强 ;

王瑜琪 ;

黄虹 .

中国专利 :CN104591286A ,2015-05-06

[10]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

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