一种p型CuNiSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610914011.X

申请日：

2016-10-20

公开(公告)号：

CN106711197A

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

吕建国程晓涵叶志镇

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

H01L2924

IPC分类号：

H01L2102 H01L29786

代理机构：

杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231

代理人：

张宇娟;王煦丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	公开	公开
2020-04-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种p型ZnGeSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

岳士录 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106711196A ,2017-05-24

[2]

一种p型CuMInO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

孟璐 .

中国专利 :CN106711198A ,2017-05-24

[3]

一种p型CuMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

于根源 ;

黄靖云 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106711192A ,2017-05-24

[4]

一种p型ZnRhMO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

孟璐 .

中国专利 :CN106711200B ,2017-05-24

[5]

一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

程晓涵 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106711193B ,2017-05-24

[6]

一种p型ZnAlSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

吕容恺 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106711202A ,2017-05-24

[7]

一种p型NiMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

于根源 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106702326A ,2017-05-24

[8]

一种p型ZnMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

程晓涵 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106711195B ,2017-05-24

[9]

一种p型LaMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

吕容恺 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106711228A ,2017-05-24

[10]

一种p型CuNSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

于根源 .

中国专利 :CN106711199A ,2017-05-24

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