一种多孔球型纳米硅材料的电化学制备方法

被引：0

申请号：

CN202211158710.8

申请日：

2022-09-22

公开(公告)号：

CN115505944A

公开(公告)日：

2022-12-23

发明(设计)人：

郑凯李杰瑞朱瑞侍翠莲龚海锋陈肖虎

申请人：

申请人地址：

550025 贵州省贵阳市贵安新区党武镇博士路

IPC主分类号：

C25B133

IPC分类号：

C25B150 B82Y4000 C25B1104 C25B11042 C25B1502

代理机构：

北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362

代理人：

张梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-23	公开	公开
2023-01-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25B 1/33 申请日:20220922

共 50 条

[1]

一种多孔球型纳米硅材料的电化学制备方法 [P].

郑凯 ;

李杰瑞 ;

朱瑞 ;

侍翠莲 ;

龚海锋 ;

陈肖虎 .

中国专利 :CN115505944B ,2024-12-03

[2]

介孔碳纳米线的电化学制备方法 [P].

邹星礼 ;

鲁雄刚 ;

郑凯 ;

李鑫 ;

李尚书 ;

路长远 ;

谢学良 .

中国专利 :CN107119283A ,2017-09-01

[3]

一种纳米多孔金的电化学制备方法 [P].

王艳 ;

张忠华 ;

张倩 .

中国专利 :CN101597775A ,2009-12-09

[4]

一种纳米多孔钯的电化学制备方法 [P].

王艳 ;

张忠华 .

中国专利 :CN101717972B ,2010-06-02

[5]

一种无定型硅材料的电化学制备方法 [P].

施利毅 ;

陈国荣 ;

张登松 ;

黄雷 ;

庄先焕 ;

赵珊珊 .

中国专利 :CN105019015A ,2015-11-04

[6]

电化学制备硅膜的方法 [P].

裴相垠 ;

金钟润 ;

延济元 ;

朴泰洪 ;

宋奎锡 ;

金大贤 ;

赵荣焕 ;

朴勇俊 ;

河英庆 .

中国专利 :CN104419944B ,2015-03-18

[7]

一种纳米碳化硅材料的电化学制备方法 [P].

卢世刚 ;

赵春荣 ;

杨娟玉 ;

闫坤 ;

余章龙 .

中国专利 :CN103184465B ,2013-07-03

[8]

一种电化学制备全表面发光的多孔硅的方法 [P].

汪舰 ;

王童 ;

胡保付 ;

杜保立 ;

刘丙国 ;

徐坚 .

中国专利 :CN111188083B ,2020-05-22

[9]

一种纳米铜的电化学制备方法 [P].

万晔 ;

丁晓雯 ;

王欢 ;

宋智远 ;

宋熠凯 .

中国专利 :CN105755507B ,2016-07-13

[10]

一种纳米银粉体的电化学制备方法 [P].

万晔 ;

马浩翔 ;

张珂 .

中国专利 :CN108531943A ,2018-09-14

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