非易失性半导体存储装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780045014.3

申请日：

2007-11-05

公开(公告)号：

CN101548334A

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

井上刚至细井康成大西茂夫粟屋信义

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

G11C1300

IPC分类号：

H01L2710 H01L4500 H01L4900

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 13/00 申请日:20071105 授权公告日:20130206 终止日期:20191105
2013-02-06	授权	授权
2009-09-30	公开	公开
2009-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

非易失性半导体存储装置 [P].

森本英德 .

中国专利 :CN100454439C ,2004-12-01

[2]

非易失性半导体存储装置 [P].

中山雅义 ;

河野和幸 ;

持田礼司 ;

高桥桂太 .

中国专利 :CN107886985A ,2018-04-06

[3]

非易失性半导体存储装置 [P].

大和田福夫 ;

川嶋泰彦 ;

吉田信司 ;

谷口泰弘 ;

樱井良多郎 ;

品川裕 ;

葛西秀男 ;

奥山幸祐 .

中国专利 :CN108352386A ,2018-07-31

[4]

非易失性半导体存储装置 [P].

山田和志 .

中国专利 :CN108806753A ,2018-11-13

[5]

非易失性半导体存储装置 [P].

吉田信司 ;

柳泽一正 ;

佐藤修一 ;

谷口泰弘 .

中国专利 :CN110419080A ,2019-11-05

[6]

非易失性半导体存储装置 [P].

赤堀浩史 ;

竹内和歌子 ;

佐藤敦祥 .

中国专利 :CN100585861C ,2008-01-23

[7]

非易失性半导体存储装置 [P].

铃木淳弘 .

中国专利 :CN1685444B ,2005-10-19

[8]

非易失性半导体存储装置 [P].

持田礼司 ;

河野和幸 .

中国专利 :CN104769677B ,2015-07-08

[9]

非易失性半导体存储装置 [P].

大西润哉 ;

山崎信夫 ;

石原数也 ;

井上雄史 ;

玉井幸夫 ;

粟屋信义 .

中国专利 :CN102347445B ,2012-02-08

[10]

非易失性半导体存储装置 [P].

远田利之 ;

谷本弘吉 ;

泉田贵土 .

中国专利 :CN101241914B ,2008-08-13

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