MoS2带孔纳米片/石墨烯复合纳米材料及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410339848.7

申请日：

2014-07-17

公开(公告)号：

CN104103829B

公开(公告)日：

2014-10-15

发明(设计)人：

陈卫祥叶剑波马琳马英杰

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市浙大路38号

IPC主分类号：

H01M458

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230

代理人：

冯年群

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-29	授权	授权
2014-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588365104 IPC(主分类):H01M 4/58 专利申请号:2014103398487 申请日:20140717
2019-07-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01M 4/58 申请日:20140717 授权公告日:20160629 终止日期:20180717
2014-10-15	公开	公开

共 50 条

[1]

多边缘MoS2纳米片/石墨烯复合纳米材料及制备方法 [P].

陈涛 ;

陈卫祥 ;

马琳 ;

孙虎 ;

叶剑波 ;

陈倩男 ;

吴庆银 .

中国专利 :CN104091931B ,2014-10-08

[2]

WS2带孔纳米片/石墨烯复合纳米材料及制备方法 [P].

陈卫祥 ;

叶剑波 ;

马琳 ;

王臻 .

中国专利 :CN104091932A ,2014-10-08

[3]

一种MoS2纳米瓦/石墨烯复合纳米材料及其制备方法 [P].

陈卫祥 ;

马琳 ;

黄国创 ;

王臻 ;

叶剑波 .

中国专利 :CN104091936B ,2014-10-08

[4]

多边缘WS2纳米片/石墨烯复合纳米材料及制备方法 [P].

陈涛 ;

陈卫祥 ;

马琳 ;

孙虎 ;

叶剑波 ;

陈倩男 .

中国专利 :CN104103818B ,2014-10-15

[5]

WS2纳米瓦/石墨烯复合纳米材料及其制备方法 [P].

陈卫祥 ;

陈涛 ;

黄国创 ;

王臻 .

中国专利 :CN104091947B ,2014-10-08

[6]

一种MoS2纳米带与石墨烯复合纳米材料及其制备方法 [P].

陈卫祥 ;

王臻 ;

马琳 ;

黄国创 .

中国专利 :CN102709559B ,2012-10-03

[7]

一种单层MoS2与石墨烯复合纳米材料的水热制备方法 [P].

陈卫祥 ;

黄国创 ;

王臻 ;

马琳 .

中国专利 :CN102698774A ,2012-10-03

[8]

一种石墨烯纳米片/MoS2复合纳米材料及其合成方法 [P].

陈卫祥 ;

常焜 ;

陈涛 ;

马琳 .

中国专利 :CN102142551A ,2011-08-03

[9]

Mo0.5W0.5S2纳米瓦与石墨烯复合纳米材料及制备方法 [P].

陈卫祥 ;

马琳 ;

黄国创 ;

王臻 ;

叶剑波 .

中国专利 :CN104091933A ,2014-10-08

[10]

WS2带孔纳米片/石墨烯电化学贮锂复合电极及制备方法 [P].

陈卫祥 ;

叶剑波 ;

马琳 ;

王臻 .

中国专利 :CN104091923B ,2014-10-08

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