一种超级结器件结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510086221.X

申请日：

2015-02-16

公开(公告)号：

CN105895690A

公开(公告)日：

2016-08-24

发明(设计)人：

肖胜安

申请人：

申请人地址：

200137 上海市春晖路25弄5号501室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20150216
2016-08-24	公开	公开
2021-03-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20160824

共 50 条

[1]

一种超级结器件结构及其制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN105895689A ,2016-08-24

[2]

超级结器件及其制造方法 [P].

肖胜安 ;

雷海波 ;

姚亮 .

中国专利 :CN104576730B ,2015-04-29

[3]

超级结器件及其制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN104425596B ,2015-03-18

[4]

超级结器件及其制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN104051540A ,2014-09-17

[5]

超级结器件及制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN104425602B ,2015-03-18

[6]

超级结器件及制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN104425600A ,2015-03-18

[7]

超级结器件及其制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN103077970B ,2013-05-01

[8]

超级结器件结构及其制造方法 [P].

冯海浪 .

中国专利 :CN111370469A ,2020-07-03

[9]

超级结MOSFET器件及其制造方法 [P].

许昭昭 ;

刘冬华 ;

钱文生 ;

王飞 .

中国专利 :CN121126837A ,2025-12-12

[10]

高压超级结器件结构及其制造方法 [P].

陈思彤 ;

崔冬奕 ;

赵纪栋 ;

王昱 ;

陈雪婷 ;

卢烁今 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN121152274A ,2025-12-16

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