一种导电聚合物包覆镍钴锰酸锂正极材料的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410778368.0
申请日
2014-12-15
公开(公告)号
CN104466135B
公开(公告)日
2015-03-25
发明(设计)人
李华成 李普良 李运姣 许虎 孔龙 陈南雄 王春飞
申请人
申请人地址
532315 广西壮族自治区崇左市大新县下雷镇大新锰矿
IPC主分类号
H01M436
IPC分类号
H01M4505 H01M4525 H01M462 H01M100525
代理机构
成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214
代理人
吴彦峰
法律状态
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共 50 条
[1]
一种纳米碳复合导电聚合物包覆的镍钴锰酸锂正极材料 [P]. 
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[2]
镍钴锰酸锂三元正极材料的包覆方法 [P]. 
崔云龙 ;
苗力孝 ;
牛庆荣 ;
魏志凯 ;
谢芳 ;
鞠署元 .
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[3]
导电聚合物包覆的镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法 [P]. 
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[4]
原位包覆导电聚合物的镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法 [P]. 
许开华 ;
叶建 ;
张云河 .
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[5]
一种导电聚合物包覆镍钴锰酸锂的正极材料及其正极极片 [P]. 
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樊腾飞 ;
张洪坤 ;
柏祥涛 ;
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[6]
磷酸铁锂包覆的镍钴锰酸锂及其制备方法 [P]. 
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[7]
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[8]
一种镍锰酸锂包覆锰酸锂正极材料的制备方法 [P]. 
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[9]
一种镍钴锰酸锂正极材料及其包覆方法 [P]. 
栗志涛 ;
刘阳 .
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[10]
离子掺杂、包覆的镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法 [P]. 
许开华 ;
叶建 ;
张云河 .
中国专利 :CN109713245A ,2019-05-03