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半导体存储器件及其操作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201611025104.3
申请日
:
2016-11-15
公开(公告)号
:
CN107393592B
公开(公告)日
:
2017-11-24
发明(设计)人
:
李钟妴
朴鎭寿
禹贤守
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
G11C1634
IPC分类号
:
代理机构
:
北京弘权知识产权代理有限公司 11363
代理人
:
李少丹;许伟群
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-02-27
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/34 申请日:20161115
2021-11-12
授权
授权
2017-11-24
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
李熙烈
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李熙烈
.
中国专利
:CN106373610A
,2017-02-01
[2]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
李熙烈
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李熙烈
;
刘泫昇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘泫昇
.
中国专利
:CN106205700B
,2016-12-07
[3]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
李映勋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李映勋
.
中国专利
:CN106531215B
,2017-03-22
[4]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
李映勋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李映勋
.
韩国专利
:CN111899778B
,2024-06-11
[5]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
朴钟庆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朴钟庆
;
徐智贤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐智贤
.
中国专利
:CN107240412A
,2017-10-10
[6]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
李映勋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李映勋
.
韩国专利
:CN111899780B
,2024-06-11
[7]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
李映勋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李映勋
.
中国专利
:CN111899778A
,2020-11-06
[8]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
徐智贤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐智贤
.
中国专利
:CN107305785B
,2017-10-31
[9]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
李煕烈
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李煕烈
.
中国专利
:CN106057237A
,2016-10-26
[10]
半导体存储器件及其操作方法
[P].
李元熙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李元熙
;
李澔锡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李澔锡
.
中国专利
:CN106169306A
,2016-11-30
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