存储器装置中的编程抑制

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201680012724.5
申请日
2016-07-27
公开(公告)号
CN108028066A
公开(公告)日
2018-05-11
发明(设计)人
Y·卢特拉 K·F·陈 郭晓江
申请人
申请人地址
美国爱达荷州
IPC主分类号
G11C1610
IPC分类号
G11C1604 G11C1612 G11C1634
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
路勇
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
存储器装置中的编程操作 [P]. 
董志鹏 ;
柯柯 ;
李博 .
中国专利 :CN121034372A ,2025-11-28
[2]
存储器装置中的编程操作 [P]. 
刘红涛 ;
许鹏禹 ;
黄莹 ;
关蕾 .
中国专利 :CN121039738A ,2025-11-28
[3]
存储器装置中的存储器单元的多步模拟编程收敛 [P]. 
E·N·李 ;
曾怀远 ;
河合鉱一 ;
鎌田义彦 ;
L·C·米兰达 ;
合田晃 .
美国专利 :CN120998274A ,2025-11-21
[4]
存储器子系统中的存储器装置的全电平编程 [P]. 
宁涉洋 ;
L·C·米兰达 .
中国专利 :CN115132253A ,2022-09-30
[5]
存储器子系统中的存储器装置的双交错编程 [P]. 
P·S·阮 ;
J·菲兹帕特里克 ;
K·K·姆奇尔拉 .
中国专利 :CN114724611A ,2022-07-08
[6]
编程存储器装置 [P]. 
德尊格·H·阮 ;
本杰明·路易 ;
哈戈普·A·纳扎里安 ;
阿龙·叶 ;
韩真晚 .
中国专利 :CN101176163A ,2008-05-07
[7]
存储器装置中的多遍编程 [P]. 
万维俊 ;
盛悦 ;
董志鹏 ;
史维华 .
中国专利 :CN120727062A ,2025-09-30
[8]
模仿存储器装置中的编程验证漏极电阻 [P]. 
弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 .
中国专利 :CN101432821A ,2009-05-13
[9]
存储器装置中的多电平编程检验 [P]. 
金泰勋 ;
何德平 ;
杰弗里·艾伦·克赛尼希 .
中国专利 :CN102422362A ,2012-04-18
[10]
存储器装置和存储器编程的方法 [P]. 
阿密特·伯曼 .
中国专利 :CN113724763A ,2021-11-30