一种碳化硅晶体的制备方法、碳化硅晶片、碳化硅衬底及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110683397.9

申请日：

2021-06-18

公开(公告)号：

CN113463197A

公开(公告)日：

2021-10-01

发明(设计)人：

林大野王治中蔡钦铭

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市南沙区万顷沙镇南加三纵路6号8层810房之三十八(仅限办公)

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2520 C30B2502

代理机构：

深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287

代理人：

陈小娟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-01	公开	公开
2021-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20210618

共 50 条

[1]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[2]

碳化硅衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅衬底和碳化硅半导体器件的方法 [P].

田中聪 ;

山田俊介 ;

堀井拓 ;

松岛彰 ;

久保田良辅 ;

冲田恭子 ;

西浦隆幸 .

中国专利 :CN105164322A ,2015-12-16

[3]

碳化硅衬底、碳化硅半导体器件和制造碳化硅衬底的方法 [P].

日吉透 .

中国专利 :CN105762175A ,2016-07-13

[4]

碳化硅晶体及碳化硅晶片 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN117364247A ,2024-01-09

[5]

碳化硅衬底的制备方法、碳化硅衬底及半导体器件 [P].

刘新科 ;

李一阳 ;

范康凯 ;

钟智祥 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006617A ,2025-11-25

[6]

碳化硅衬底、碳化硅外延衬底以及碳化硅半导体器件的制造方法 [P].

椎原贵洋 ;

冲田恭子 .

日本专利 :CN121127635A ,2025-12-12

[7]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P].

堀勉 ;

塩见弘 ;

宫濑贵也 .

日本专利 :CN112335057B ,2024-06-28

[8]

碳化硅衬底、半导体器件和制造碳化硅衬底的方法 [P].

西口太郎 ;

佐佐木信 ;

原田真 ;

藤原伸介 ;

并川靖生 .

中国专利 :CN102422387A ,2012-04-18

[9]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P].

堀勉 ;

塩见弘 ;

宫濑贵也 .

中国专利 :CN112335057A ,2021-02-05

[10]

碳化硅单晶、碳化硅晶片和半导体器件 [P].

郡司岛造 ;

浦上泰 ;

安达步 .

中国专利 :CN103635615B ,2014-03-12

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