磁场产生装置、磁控管阴极及溅射装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180004548.8

申请日：

2011-08-30

公开(公告)号：

CN102725435A

公开(公告)日：

2012-10-10

发明(设计)人：

孔为林子敬李明谢斌王海千姜友松长江亦周

申请人：

申请人地址：

日本国神奈川县

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C03C17245 C23C1434

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

刘文海

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101359121924 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2011800045488 申请日:20110830
2014-02-26	授权	授权
2012-10-10	公开	公开

共 50 条

[1]

磁控管阴极和包括这种磁控管阴极的磁控管溅射装置 [P].

瑟吉·Y·纳瓦拉 ;

尤里·N·托尔马彻夫 ;

马东俊 ;

金泰完 .

中国专利 :CN1525519A ,2004-09-01

[2]

磁控管溅射阴极 [P].

J·克雷姆佩尔-赫泽 ;

A·吉施克 ;

U·许斯勒 ;

H·沃尔夫 .

中国专利 :CN1795531B ,2006-06-28

[3]

溅射磁控管装置 [P].

许生 ;

徐升东 ;

庄炳河 ;

郭杏元 .

中国专利 :CN101877300B ,2010-11-03

[4]

磁控管溅射用磁场生成装置 [P].

栗山义彦 .

中国专利 :CN104919082A ,2015-09-16

[5]

磁控管溅射装置用的磁体构件、阴极单元以及磁控管溅射装置 [P].

近藤隆彦 ;

堀崇展 ;

岩崎安邦 ;

米山信夫 .

中国专利 :CN101300372B ,2008-11-05

[6]

磁控管溅射方法以及磁控管溅射装置 [P].

太田淳 ;

田口信一郎 ;

杉浦功 ;

谷典明 ;

新井真 ;

清田淳也 .

中国专利 :CN1965101A ,2007-05-16

[7]

磁控管溅射用磁体构件和阴极单元以及磁控管溅射装置 [P].

近藤隆彦 ;

堀崇展 ;

岩崎安邦 ;

米山信夫 .

中国专利 :CN101080510B ,2007-11-28

[8]

磁控管溅射装置 [P].

横山政秀 ;

早田博 .

中国专利 :CN1067118C ,1996-04-17

[9]

用于磁控管溅射的磁场发生装置 [P].

栗山义彦 ;

三田正裕 .

中国专利 :CN103328683B ,2013-09-25

[10]

磁控管溅射电极与应用磁控管溅射电极的溅射装置 [P].

李尚浩 ;

小松孝 ;

中村肇 ;

新井真 ;

清田淳也 ;

谷典明 .

中国专利 :CN1978698B ,2007-06-13

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