一种精炼工业硅制备太阳能级硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510675040.0

申请日：

2015-10-19

公开(公告)号：

CN105293502A

公开(公告)日：

2016-02-03

发明(设计)人：

罗大伟李凛周世一龙剑平

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市二仙桥东三路1号

IPC主分类号：

C01B33037

IPC分类号：

代理机构：

成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220

代理人：

谭新民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-03	公开	公开
2017-08-25	授权	授权
2020-10-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/037 申请日:20151019 授权公告日:20170825 终止日期:20191019
2016-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101649087855 IPC(主分类):C01B 33/037 专利申请号:2015106750400 申请日:20151019

共 50 条

[1]

一种提纯工业硅制备太阳能级硅的方法 [P].

黄新明 ;

张永欣 ;

邝亚镭 ;

郭宽新 .

中国专利 :CN101475174B ,2009-07-08

[2]

一种炉外精炼提纯工业硅的方法 [P].

马文会 ;

魏奎先 ;

王统 ;

谢克强 ;

伍继君 ;

周阳 ;

杨斌 ;

戴永年 .

中国专利 :CN102583389A ,2012-07-18

[3]

太阳能级硅的制备方法 [P].

哈山恩·塔沙格 .

中国专利 :CN102333726B ,2012-01-25

[4]

一种制备太阳能级多晶硅的方法 [P].

马文会 ;

戴永年 ;

杨斌 ;

王华 ;

刘大春 ;

徐宝强 ;

李伟宏 ;

杨部正 ;

刘永成 ;

汪竞福 ;

周晓奎 .

中国专利 :CN100372762C ,2006-07-19

[5]

太阳能级多晶硅制备方法 [P].

王书杰 ;

孟静 .

中国专利 :CN108706590A ,2018-10-26

[6]

一种太阳能级硅的制备方法 [P].

吴展平 .

中国专利 :CN101357765A ,2009-02-04

[7]

一种工业硅精炼提纯方法 [P].

铁生年 ;

陈明彪 ;

梅生伟 .

中国专利 :CN104495853B ,2015-04-08

[8]

提纯太阳能级多晶硅的方法 [P].

王书杰 ;

孟静 .

中国专利 :CN108546987B ,2018-09-18

[9]

制备太阳能级硅的方法 [P].

T·F·麦努尔蒂 ;

M·P·德埃夫林 ;

J·T·莱曼 ;

R·舒巴 .

中国专利 :CN101239722A ,2008-08-13

[10]

太阳能级硅的制备方法 [P].

吴展平 ;

杜相华 ;

杨晗辉 .

中国专利 :CN101085678B ,2007-12-12

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