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一二次融合柱上断路器
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201920906027.5
申请日：
2019-06-14
公开(公告)号：
CN209747426U
公开(公告)日：
2019-12-06
发明(设计)人：
杨志刚
霍程
张剑
侯磊
续广谦
申请人：
申请人地址：
100070 北京市丰台区科学城星火路10号B-103室（园区）
IPC主分类号：
H01H7102
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-12-06 | 授权 | 授权 |