Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03824173.0

申请日：

2003-09-29

公开(公告)号：

CN1689205A

公开(公告)日：

2005-10-26

发明(设计)人：

渡边温高桥宏和木村义则宫地护

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01S5323

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

李辉

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2005-10-26	公开	公开
2005-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

瀧哲也 .

中国专利 :CN100490199C ,2007-10-10

[2]

Ⅲ族氮化物半导体元件及其制造方法、Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法和灯 [P].

三木久幸 ;

横山泰典 .

中国专利 :CN102017082A ,2011-04-13

[3]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法 [P].

渡边康弘 ;

藤田武彦 .

中国专利 :CN107851689A ,2018-03-27

[4]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法 [P].

宇田川隆 .

中国专利 :CN103518267A ,2014-01-15

[5]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯 [P].

横山泰典 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN101542756A ,2009-09-23

[6]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯 [P].

三木久幸 ;

横山泰典 ;

冈部健彦 ;

塙健三 .

中国专利 :CN102113140A ,2011-06-29

[7]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法和灯 [P].

加治亘章 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN101689592B ,2010-03-31

[8]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯 [P].

横山泰典 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN101874306A ,2010-10-27

[9]

III族氮化物半导体发光元件的制造方法及III族氮化物半导体发光元件 [P].

吉本晋 ;

三桥史典 .

中国专利 :CN103098241A ,2013-05-08

[10]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

菊池友 ;

宇田川隆 .

中国专利 :CN101809763A ,2010-08-18

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