半导体防静电保护结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110456995.9
申请日
2011-12-30
公开(公告)号
CN103187412B
公开(公告)日
2013-07-03
发明(设计)人
甘正浩 三重野文健 冯军宏
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L2702
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体防静电保护结构 [P]. 
苏庆 .
中国专利 :CN100474589C ,2008-05-28
[2]
半导体结构及静电保护电路 [P]. 
杨凯 ;
屈佳 ;
叶蕾 ;
黄永彬 .
中国专利 :CN117727754A ,2024-03-19
[3]
SCR防静电保护结构 [P]. 
苏庆 .
中国专利 :CN101207122A ,2008-06-25
[4]
静电保护用半导体装置 [P]. 
加藤伸二郎 .
中国专利 :CN102024792A ,2011-04-20
[5]
半导体静电保护电路器件 [P]. 
森下泰之 .
中国专利 :CN107871735B ,2018-04-03
[6]
静电保护结构、静电保护电路、芯片 [P]. 
许杞安 .
中国专利 :CN114664811A ,2022-06-24
[7]
静电保护结构、静电保护电路、芯片 [P]. 
许杞安 .
中国专利 :CN114664811B ,2024-07-19
[8]
静电保护结构、静电保护电路、芯片 [P]. 
许杞安 .
中国专利 :CN114743967A ,2022-07-12
[9]
防静电保护系统 [P]. 
汤文鼎 ;
陶奇军 ;
刘洪 ;
夏柱忠 ;
钟如波 .
中国专利 :CN203890047U ,2014-10-22
[10]
静电保护结构 [P]. 
范炜盛 .
中国专利 :CN115394772A ,2022-11-25