半导体双极化振子

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201420368260.X
申请日
2014-07-06
公开(公告)号
CN203950917U
公开(公告)日
2014-11-19
发明(设计)人
傅汉雄 朱杰 杨苑 李胜运 黄增孝 杨龙寿
申请人
申请人地址
514759 广东省梅州市梅县区雁洋镇鹧鸪村
IPC主分类号
H01Q136
IPC分类号
H01Q150 H01Q152 H01Q112 H01Q2124
代理机构
广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295
代理人
罗振国
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
宽频带半导体双极化振子 [P]. 
胡科娜 .
中国专利 :CN203983466U ,2014-12-03
[2]
辐射稳定的半导体双极化振子 [P]. 
胡科娜 .
中国专利 :CN203983475U ,2014-12-03
[3]
宽频带半导体单极化振子 [P]. 
杨龙寿 ;
杨钦欢 ;
黄增孝 ;
温雪欢 ;
曾桓海 ;
傅汉雄 .
中国专利 :CN203942008U ,2014-11-12
[4]
带阻扰孔的宽频带半导体双极化振子 [P]. 
艾阳斌 ;
叶巍 ;
陶昕韵 ;
皮艳秋 ;
黄长虹 .
中国专利 :CN204011686U ,2014-12-10
[5]
带阻扰孔的辐射稳定的半导体双极化振子 [P]. 
曾桓海 ;
杨苑 ;
杨龙寿 ;
朱杰 ;
黄增孝 ;
叶苏林 .
中国专利 :CN203950916U ,2014-11-19
[6]
带收敛缺口的辐射稳定的半导体双极化振子 [P]. 
李胜运 ;
杨钦欢 ;
傅汉雄 ;
吴舒艺 ;
杨龙寿 ;
朱瑞龙 .
中国专利 :CN203950915U ,2014-11-19
[7]
宽频带双极化振子 [P]. 
胡科娜 .
中国专利 :CN203983461U ,2014-12-03
[8]
一种高增益半导体单极化振子 [P]. 
傅汉雄 ;
杨苑 ;
李胜运 ;
吴舒艺 ;
黄增孝 ;
杨龙寿 .
中国专利 :CN203942011U ,2014-11-12
[9]
宽频带双极化振子 [P]. 
翟强 ;
高国美 ;
杨学静 ;
王善东 ;
张孝宾 ;
寿洪樱 ;
李凤贤 ;
刘聪 .
中国专利 :CN104134852B ,2014-11-05
[10]
单极化振子 [P]. 
胡科娜 .
中国专利 :CN203983459U ,2014-12-03