一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910314126.9

申请日：

2019-04-18

公开(公告)号：

CN110165018A

公开(公告)日：

2019-08-23

发明(设计)人：

贾松燕任永伟蔡万里

申请人：

申请人地址：

322118 浙江省金华市东阳市横店工业区

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310236 H01L2102 C30B3310

代理机构：

杭州杭诚专利事务所有限公司 33109

代理人：

尉伟敏

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-23	公开	公开
2022-01-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/18 申请公布日:20190823
2019-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20190418

共 50 条

[1]

一种提升双面PERC电池效率的铝浆的制备方法 [P].

樊华 ;

朱玉梅 ;

唐燕亮 ;

杨华 .

中国专利 :CN111403076A ,2020-07-10

[2]

一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺 [P].

励小伟 ;

梁海 ;

赖儒丹 .

中国专利 :CN109103081A ,2018-12-28

[3]

一种降低多晶电池片漏电的工艺方法 [P].

胡琴 ;

张凯胜 ;

姚伟忠 .

中国专利 :CN107154449A ,2017-09-12

[4]

一种太阳能多晶RIE制备黑硅前的清洗工艺 [P].

厉文斌 ;

赵颖 ;

郑正明 .

中国专利 :CN109148265A ,2019-01-04

[5]

一种下一代结构高效率晶体硅电池及制作方法 [P].

孙良欣 ;

胡盛华 .

中国专利 :CN102386249B ,2012-03-21

[6]

一种提高晶体硅太阳能电池效率的扩散工艺 [P].

陈园 ;

杨晓琴 ;

张宇 ;

黄明 ;

张广路 ;

张广杰 ;

金阳 .

中国专利 :CN105070654B ,2015-11-18

[7]

提高多晶硅片转换效率的多晶铸锭工艺 [P].

杨平 ;

王启阳 .

中国专利 :CN103590102A ,2014-02-19

[8]

一种制造高效率多晶电池的工艺 [P].

李奎 ;

朱生宾 ;

李陶 ;

谢伟 ;

崔廷 ;

蒋明强 ;

王凌祥 .

中国专利 :CN105702803A ,2016-06-22

[9]

一种提升返工片效率良率的制绒工艺 [P].

沈亚光 ;

王博 .

中国专利 :CN110592681A ,2019-12-20

[10]

一种下一代结构高效率晶体硅电池 [P].

孙良欣 ;

胡盛华 .

中国专利 :CN202307914U ,2012-07-04

← 1 2 3 4 5 →